The Kinetics of the Low‐Pressure Chemical Vapor Deposition of Polycrystalline Silicon from Silane
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
Kinetics of the Low Pressure Chemical Vapor Deposition of Polycrystalline Germanium-Silicon Alloys from Sill4 and GeH4
A Langmuir-Hinshelwood growth-rate equation is presented for the germanium-silicon (GeSi) alloy deposition from GeH~ and SiH~ assuming dissociative chemisorption on a heterogeneous GeSi surface. Model parameters for the deposition kinetics have been extracted from measurements. The fit for the bond-energy of hydrogen to a germanium surface site is 1 30 kJ m o l , lower compared to that of hydro...
متن کاملthe effect of traffic density on the accident externality from driving the case study of tehran
در این پژوهش به بررسی اثر افزایش ترافیک بر روی تعداد تصادفات پرداخته شده است. به این منظور 30 تقاطع در شهر تهران بطور تصادفی انتخاب گردید و تعداد تصادفات ماهیانه در این تقاطعات در طول سالهای 89-90 از سازمان کنترل ترافیک شهر تهران استخراج گردید و با استفاده از مدل داده های تابلویی و نرم افزار eviews مدل خطی و درجه دوم تخمین زده شد و در نهایت این نتیجه حاصل شد که تقاطعات پر ترافیک تر تعداد تصادفا...
15 صفحه اولHot-wire chemical vapor deposition for epitaxial silicon growth on large- grained polycrystalline silicon templates
We investigate low-temperature epitaxial growth of thin silicon films by HWCVD on Si w1 0 0x substrates and polycrystalline template layers formed by selective nucleation and solid phase epitaxy (SNSPE). We have grown 300-nm thick epitaxial layers at 300 8C on silicon w1 0 0x substrates using a high H :SiH ratio of 70:1. Transmission electron microscopy confirms that the 2 4 films are epitaxial...
متن کاملSimulations of Silicon Carbide Chemical Vapor Deposition
ii by using insulation material correctly, a more uniform temperature distribution can be obtained. A model for the growth of SiC is used to predict growth rates at various process parameters. A number of possible factors influencing the growth rate are investigated using this model. The importance of including thermal diffusion and the effect of etching by hydrogen is shown, and the effect of ...
متن کاملذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: Journal of The Electrochemical Society
سال: 1998
ISSN: 0013-4651,1945-7111
DOI: 10.1149/1.1838458